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DMG1016V
P-CHANNEL – Q 2 (continued)
1.6
1.0
0.8
1.2
T A = 25°C
0.6
0.8
I D = -1m      A
0.4
I D = -250μA
0.4
0.2
0
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 18 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
100
1,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 19 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
C iss
100
T A = 125°C
10
C oss
C rss
10
T A = 85°C
T A = 25°C
1
0
5 10 15
20
1
0
4 8 12 16
20
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 20 Typical Total Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 21 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 260°C/W
D = 0.02
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
D = 0.005
-T
Duty Cycle, D = t 1 2
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 22 Transient Thermal Response
DMG1016V
Document number: DS31767 Rev. 3 - 2
6 of 8
www.diodes.com
May 2009
? Diodes Incorporated
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